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SBT5401	文件：258.37 Kbytes Page：5 Pages	Generalpurposeamplifier	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SBT5401F	文件：192.98 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Description •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=-160V,VCEO=-160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5551F	AUK AUK corp	AUK
SBT5401F	文件：242.17 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
SBT5401F	文件：267.38 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconTransistor Description •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage: VCBO=-160V,VCEO=-160V •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=-0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5551F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
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SD5401	文件：226.84 Kbytes Page：4 Pages	QUADN-CHANNELLATERALDMOSJFETSWITCHTYPICALCHARACTERISTICS QUADN-CHANNELLATERALDMOSJFETSWITCHTYPICALCHARACTERISTICS	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
SD5401	文件：505.48 Kbytes Page：3 Pages	QUADN-CHANNELLATERALDMOSSWITCHZENERPROTECTED Description TheSD5000/5400seriesofmonolithicswitchesfeaturesfourindividualdouble-diffusedenhancement-modeMOSFETsbuiltonacommonsubstrate.Thesebidirectionaldevicesprovidelowon-resistanceandlowinterelectrodecapacitancestominimizeinsertionlossandcrosstalk. Features •	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
SD5401	文件：37.49 Kbytes Page：3 Pages	High-SpeedDMOSQuadFETAnalogSwitchArrays DESCRIPTION TheSD5000Seriesaremonolithicarraysoffourbidirectional,highperformanceanalogswitchesmanufacturedwithimplantedhigh-speed,high-voltageandlowresistancedouble-difusedMOS(DMOS)process.Themaximumthresholdof2VpermitssimpleTTLandCMOSdrivinginsmallsignala	Calogic Calogic, LLC	Calogic
SD5401	文件：45.66 Kbytes Page：3 Pages	High-SpeedDMOSQuadFETAnalogSwitchArrays	Calogic Calogic, LLC	Calogic
SD5401CY	文件：505.48 Kbytes Page：3 Pages	QUADN-CHANNELLATERALDMOSSWITCHZENERPROTECTED Description TheSD5000/5400seriesofmonolithicswitchesfeaturesfourindividualdouble-diffusedenhancement-modeMOSFETsbuiltonacommonsubstrate.Thesebidirectionaldevicesprovidelowon-resistanceandlowinterelectrodecapacitancestominimizeinsertionlossandcrosstalk. Features •	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR

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