订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>NSVMMBT5087LT1G>芯片详情
NSVMMBT5087LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 NKGLBDT/南科功率半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NSVMMBT5087LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 1mA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 100µA,5V
- 频率 - 跃迁:
40MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
供应商
- 企业:
深圳市南科功率半导体有限公司
- 商铺:
- 联系人:
柯经理
- 手机:
18529599598
- 询价:
- 电话:
0755-82550454
- 传真:
0755-82550454
- 地址:
深圳市福田区华强北新华强H4C003
相近型号
- NSVMMBT5550LT1G
- NSVMMBT2222ATT1G
- NSVMMBT5551M3T5G
- NSVMMBT2222AM3T5G
- NSVMMBT589LT1G
- NSVMMBD717LT1G
- NSVMMBD354LT1G
- NSVMMBT6429LT1
- NSVMMBD353LT1G
- NSVMMBT6429LT1G
- NSVMMBD353LT1
- NSVMMBT6517LT1G
- NSVMMBD352WT1G
- NSVMMBT6520LT1G
- NSVMBT3904DW1T3G
- NSVMMBTA05LT1G
- NSVMBD770DWT1G
- NSVMBD770DW1T1G
- NSVMMBTA28LT1G
- NSVMBD54DWT1G
- NSVMMBTH10LT1G
- NSVM1MA152WKT1G
- NSVMMBTH81LT1G
- NSVM1MA152WAT1G
- NSVMMBTH81LT3G
- NSVM1MA141WAT1G
- NSVMMUN2112LT1G
- NSVJ6904DSB6T1G
- NSVMMUN2113LT3G
- NSVJ5908DSG5T1G
- NSVMMUN2114LT3G
- NSVJ3910SB3T1G
- NSVMMUN2130LT1G
- NSVJ3557SA3T1G
- NSVMMUN2131LT1G
- NSVJ2394SA3T1G
- NSVMMUN2132LT1G
- NSVJ2394SA3
- NSVMMUN2132LT1G-M01
- NSVIMD10AMT1G
- NSVMMUN2133LT1G
- NSVG3117SG6T1G
- NSVMMUN2135LT1G
- NSVG3109SG6T1G
- NSVMMUN2136LT1G
- NSVG1001MXTAG
- NSVMMUN2137LT1G
- NSVF6003SB6T1G
- NSVMMUN2212LT1G
- NSVF6001SB6T1G