NSVF4009SG4T1G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
NSVF4009SG4T1G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
3022
产品封装：
SC-82FL
生产批号：
23+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2024-5-9 9:31:00

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原厂料号：NSVF4009SG4T1G品牌：onsemi(安森美)

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NSVF4009SG4T1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商onsemi(安森美)/onsemi生产封装SC-82FL/4-SMD，扁平引线的NSVF4009SG4T1G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
NSVF4009SG4T1G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
14 页
文件大小：
724 kb
资料说明：
RF Transistor for Low Noise Amplifier

产品属性

类型
描述
产品编号：
NSVF4009SG4T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.5V
频率 - 跃迁：
25GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 2GHz
增益：
17dB
功率 - 最大值：
120mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 5mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
40mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
SC-82FL/MCPH4
描述：
RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
陈燕纯
手机：
13554797626
询价：
电话：
0755-82538261
传真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10B

NSVF4009SG4T1G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

NSVF4009SG4T1G

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