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BC807-25	文件：59.93 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817) ●ForswitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC807-25	文件：72.5 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingandAmplifierApplications SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC817/BC818	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC807-25	文件：303.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features 310mWPowerDissipation IdeallySuitedforAutomaticInsertion EpitaxialPlanarDieConstruction ForSwitching,AFDriverandAmplifier Applications ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817)	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC807-25	文件：410.78 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion. ComplementaryNPNtypeavailableBC817 Epitaxialplanardieconstruction. APPLICATIONS Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcurrentsto1.0A.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC807-25	文件：481.8 Kbytes Page：3 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE45Volts POWER225mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=500mA •Pbfreeproductareavailable:99Snabovecanmeet RoHSenvironmentsubstancedirectiverequest MECHANICALDATA Case:SOT-2	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC807-25	文件：83.8 Kbytes Page：2 Pages	0.3WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features Ideallysuitedforautomaticinsertion Epitaxialplanardieconstruction Forswitching,AFdriverandamplifierapplications ComplementaryNPNtypeavailable(BC817) QualifiedtoAEC-Q101standardsforhighreliability MechanicalData Case:SOT-23,Molded	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC807-25	文件：311.01 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817) ●ForswitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC807-25	文件：153.31 Kbytes Page：5 Pages	0.3Watts,PNPPlastic-EncasulateTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC807-25	文件：228.56 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistors(PNP) Features •PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforswitching,AFdriverandamplifierapplications. •Especiallysuitedforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits. •Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups(-16,-25,and-40)accordingtotheircurrentgain. •Asc	GE GE Industrial Company	GE
BC807-25	文件：349.85 Kbytes Page：3 Pages	PNPLowFrequencyAmplifierTransistor	NIUHANGDongguan City Niuhang Electronics Co.LTD 纽航电子广东纽航电子科技有限公司	NIUHANG

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