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NSVBC114YPDXV65G

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

ONSEMI

安森美半导体

NSVR0320MW2T1G

SOD323

onsemi(安森美)

上传:深圳市宝芯创电子有限公司

onsemi(安森美)

NSVR0320MW2T1G

SOD-323

ON安森美

NSVR0320MW2T1G

SOD-323

onsemi(安森美)

上传:深圳市宝芯创电子有限公司

onsemi(安森美)

技术参数

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    50V

  • 电阻器 - 基底(R1):

    10 千欧

  • 电阻器 - 发射极基底(R2):

    47 千欧

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装:

    SOT-563

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONS
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NSVBC114YPDX
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更多NSVBC114YPDXV65G供应商 更新时间2025-11-8 17:00:00