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NSVBAS21AHT1G数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

NSVBAS21AHT1G

参数属性

NSVBAS21AHT1G 封装/外壳为SC-76,SOD-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

功能描述

Low Leakage Switching Diode
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

封装外壳

SC-76,SOD-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:44:00

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NSVBAS21AHT1G规格书详情

简介

NSVBAS21AHT1G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的NSVBAS21AHT1G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NSVBAS21AHT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-76,SOD-323

  • 供应商器件封装:

    SOD-323

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

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