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NSVBAS16TT1G中文资料DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NSVBAS16TT1G

参数属性

NSVBAS16TT1G 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

功能描述

DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

封装外壳

SC-75,SOT-416

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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NSVBAS16TT1G规格书详情

简介

NSVBAS16TT1G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的NSVBAS16TT1G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NSVBAS16TT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    SC-75,SOT-416

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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