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NSVBAS16TT1G

DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

ONSEMI

安森美半导体

NSVBAS16TT1G

Package:SC-75,SOT-416;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

ONSEMI

安森美半导体

S-LBAS16TT1G

Silicon Switching Diode

FEATURE ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

文件:237.06 Kbytes 页数:4 Pages

LRC

乐山无线电

BAS16TT1

Silicon Switching Diode

文件:63.96 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS16TT1

Silicon Switching Diode

Features • Pb−Free Package is Available*

文件:123.65 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS16TT1G

Silicon Switching Diode

Features • Pb−Free Package is Available*

文件:128.039 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSVBAS16TT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    SC-75,SOT-416

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NSVBAS16TT1G供应商 更新时间2025-11-4 15:08:00