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NSV20101JT1G	文件：111.39 Kbytes Page：6 Pages	NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSV20101JT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：SC-89，SOT-490 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 1A SC89-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS20101JT1G	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	20V,1.0A,LowVCE(sat)NPNTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS20101JT1G	文件：111.39 Kbytes Page：6 Pages	NPNTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSV20101JT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
350MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-89，SOT-490
供应商器件封装：
SC-89-3
描述：
TRANS NPN 20V 1A SC89-3

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更多NSV20101JT1G供应商更新时间2024-5-1 14:14:00

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