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NSV20201LT1G	文件：134.8 Kbytes Page：6 Pages	NPN Transistor 文件：134.8 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSV20201LT1G	文件：135.01 Kbytes Page：6 Pages	20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor 文件：135.01 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSV20201LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSV20201LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 2A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSV20201LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 20V 2A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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