| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>NSTB1004DXV5T1G>芯片详情
NSTB1004DXV5T1G 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:NSTB1004DXV5T1G品牌:ON/安森美
ON/安森美全新特价NSTB1004DXV5T1G即刻询购立享优惠#长期有货
NSTB1004DXV5T1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置。制造商ON/安森美/onsemi生产封装SOT553/SOT-553的NSTB1004DXV5T1G晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置预偏置的双极晶体管阵列包含两个或更多双极晶体管,同时电阻以可能有用的方式连接到每个晶体管;通常在每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻,同时有另一个电阻连接到每个晶体管的基极端子和器件封装上的用户可访问引脚。
产品属性
更多- 类型
描述
- 制造商编号
:NSTB1004DXV5T1G
- 生产厂家
:安森美
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:-
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:-
- 电阻器 - 基底(R1)
:-
- 电阻器 - 发射极基底(R2)
:-
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
:-
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
:-
- 电流 - 集电极截止(最大值)
:-
- 频率 - 跃迁
:-
- 功率 - 最大值
:-
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:SOT-553
- 供应商器件封装
:SOT-553
供应商
相近型号
- NSV12200LT1G
- NST848BF3T5G
- NSV1C200MZ4T1G
- NST847BPDP6T5G
- NSV1C201MZ4T1G
- NST847BF3T5G
- NST847BDP6T5G
- NSV1C300ET4G-VF01
- NSV1C301ET4G
- NST846BF3T5G
- NSV1C301ET4G-VF01
- NST65011MW6T1G
- NSV1SS400T1G
- NST65010MW6T1G
- NSV20101JT1G
- NST489AMT1G
- NST45011MW6T1G
- NSV20200DMTWTBG
- NSV20200LT1G
- NST3946DXV6T5G
- NST3946DXV6T1G
- NSV20201DMTWTBG
- NSV20201LT1G
- NST3946DP6T5G
- NST3946
- NSV2029M3T5G
- NST3906F3T5G
- NSV2SA2029M3T5G
- NSV2SC5658M3T5G
- NST3906DXV6T1G
- NSV30100LT1G
- NST3906DP6T5G
- NST3904F3T5G
- NSV40200LT1G
- NST3904DXV6T5G
- NSV40200UW6T1G
- NSV40300MDR2G
- NST3904DXV6T1G
- NSV40300MZ4T1G
- NST3904DP6T5G
- NSV40301MDR2G
- NST30010MXV6T1G
- NST175H-QMSR
- NSV40301MZ4T1G
- NST1001-QTZB
- NSV40302PDR2G
- NST1001-QTOS
- NSV45015WT1G
- NSV45020AT1G
- NST1001-QDNR



