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NSTB1004DXV5T1 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 INTEL/英特尔
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:NSTB1004DXV5T1
- 生产厂家
:安森美
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:-
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:-
- 电阻器 - 基底(R1)
:-
- 电阻器 - 发射极基底(R2)
:-
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
:-
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
:-
- 电流 - 集电极截止(最大值)
:-
- 频率 - 跃迁
:-
- 功率 - 最大值
:-
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:SOT-553
- 供应商器件封装
:SOT-553
供应商
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