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NSS60200L	文件：92.65 Kbytes Page：5 Pages	PNP Transistor 文件：92.65 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60200L	文件：71.96 Kbytes Page：5 Pages	60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：71.96 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NSS60200LT1G	文件：132.61 Kbytes Page：5 Pages	60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：132.61 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60200LT1G	文件：92.65 Kbytes Page：5 Pages	PNP Transistor 文件：92.65 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60200LT1G	文件：132.61 Kbytes Page：5 Pages	60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：132.61 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60200LT1G	文件：71.96 Kbytes Page：5 Pages	60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：71.96 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60200L	文件：300 bytes Page：1 Pages	低饱和压晶体管，PNP，-60 V，4.0 A ON Semiconductor e2 PowerEdge family of Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energ • High Current, Low VCEsat, ESD Robust, High Current Gain, High Cut Off Frequency, Low Profile Package, Linear Gain (Beta)\n• Improved Circuit Efficiency, Decreased Battery Charge Time, Reduce component count, High Frequency Switching, Smaller Portable Product, No distortion\n• NSV Prefix for Automo;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60200LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 2A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.22
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
7
VBE(sat) (V)：
0.9
VBE(on) (V)：
0.85
hFE Min：
150
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.54
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NSS60200L供应商更新时间2026-1-27 15:30:00

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