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NSS60101DMT	文件：110.84 Kbytes Page：6 Pages	60 V, 1 A, Low VCE(sat) NPN Transistors 文件：110.84 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60101DMT	文件：96.67 Kbytes Page：6 Pages	NPN Transistors 文件：96.67 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NSS60101DMT	文件：300 bytes Page：1 Pages	双，60V，1A，低饱和压，NPN 晶体管，WDFN6 ON Semiconductor’s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed witching applications where affordable efficient energy cont • 1A IDC, 2A ICM\n• High Robustness\n• Low VCE(sat): 0.115V @ 1A IC, IC/IB=10\n• High Energy Efficiency\n• NSV60101DMTWTBG - Wettable Flanks Packaged Device\n• Improved AOI Capability\n• Beta of 180 @ 1ADC, VCE = 2V\n• High Gain Amplification\n• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requi;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
Dual NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.18
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
1.1
VBE(on) (V)：
0.9
hFE Min：
90
fT Min (MHz)：
180
PTM Max (W)：
1.8
Package Type：
WDFN-6

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