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NSS40302PDR2G_ONSEMI/安森美半导体_两极晶体管 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A深圳市纽联电

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    NSS40302PDR2G

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ONSEMI/安森美半导体

  • 库存数量:

    5000

  • 产品封装:

    N/A

  • 生产批号:

    21+

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

    2024-5-26 10:26:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:NSS40302PDR2G品牌:Onsemi

确保原装现货,实单价格支持!

  • 芯片型号:

    NSS40302PDR2G

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 中文名称:

    安森美半导体公司

  • 内容页数:

    9 页

  • 文件大小:

    98.62 kb

  • 资料说明:

    Complementary 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) Transistor

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号:

    NSS40302PDR2G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商

  • 企业:

    深圳市纽联电子有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    张超

  • 手机:

    15989435940

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  • 地址:

    深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-O