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NSS40300MZ4T1G

Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:94.53 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40300MZ4T3G

Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:94.53 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40300MZ4T3G

Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:98.92 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40300MZ4T3G

Bipolar Power Transistors

文件:114.95 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40300MZ4T3G

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A

ONSEMI

安森美半导体

NSS40300MZ4T1G

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 40V 3A SOT223

ONSEMI

安森美半导体

NSS40300MZ4T3G

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 40V 3A SOT223

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    PNP

  • Type:

    Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V):

    0.4

  • IC Cont. (A):

    3

  • VCEO Min (V):

    40

  • VCBO (V):

    40

  • VEBO (V):

    6

  • VBE(sat) (V):

    1

  • VBE(on) (V):

    0.9

  • hFE Min:

    175

  • hFE Max:

    350

  • PTM Max (W):

    2

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SMD
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更多NSS40300MZ4供应商 更新时间2025-10-4 15:01:00