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NSS30100LT1G

30 V, 2 A, Low Vce(sat) PNP Transistor

文件:68.95 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS30100LT1G

PNP Transistor

文件:113.59 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS30100LT1G

30 V, 2 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:112.99 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS30100LT1G_13

30 V, 2 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:112.99 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS30100LT1G_16

PNP Transistor

文件:113.59 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS30100LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSS30100LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-23(TO-236)
3022
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ONSEMI/安森美
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更多NSS30100LT1G供应商 更新时间2026-2-10 8:11:00