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NSS20300MR6	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor, Low VCE(sat), PNP, 3.0 A, 20 V Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. • High Current, Low VCEsat, ESD Robust, High Current Gain, High Cut Off Frequency, Low Profile Package, Linear Gain (Beta);	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS20300MR6T1G	文件：134.85 Kbytes Page：5 Pages	20 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：134.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS20300MR6T1G	文件：39.24 Kbytes Page：4 Pages	PNP Transistor 文件：39.24 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS20300MR6T1G	文件：62.87 Kbytes Page：5 Pages	20 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：62.87 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS20300MR6T1G_07	文件：62.87 Kbytes Page：5 Pages	20 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：62.87 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS20300MR6T1G_09	文件：134.85 Kbytes Page：5 Pages	20 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor 文件：134.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS20300MR6T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 3A 6TSOP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.015
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
20
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
VBE(on) (V)：
0.875
hFE Min：
100
hFE Max：
400
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
1.75
Package Type：
TSOP-6

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