NSS12501UW3T2G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

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1+	0.088

厂家型号：
NSS12501UW3T2G
产品分类：
芯片
生产厂商：
onsemi
库存数量：
30000
产品封装：
3-WDFN 裸露焊盘
生产批号：
24+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-5-19 20:01:00

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详细信息
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原厂料号：NSS12501UW3T2G品牌：onsemi

晶体管-分立半导体产品-原装正品

NSS12501UW3T2G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商onsemi生产封装3-WDFN 裸露焊盘的NSS12501UW3T2G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
NSS12501UW3T2G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
5 页
文件大小：
88.25 kb
资料说明：
12 V, 7.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
NSS12501UW3T2G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
120mV @ 400mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
3-WDFN（2x2）
描述：
TRANS NPN 12V 5A 3WDFN

供应商

企业：
中天科工半导体（深圳）有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
李先生
手机：
13128990370
询价：
电话：
13128990370/微信同号
传真：
原装正品
地址：
深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B

NSS12501UW3T2G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

NSS12501UW3T2G

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