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NSS12200WT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

NSS12200WT1G
厂商型号

NSS12200WT1G

参数属性

NSS12200WT1G 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6

功能描述

12 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

134.14 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 8:31:00

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NSS12200WT1G规格书详情

NSS12200WT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的NSS12200WT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NSS12200WT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    290mV @ 20mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 800mA,1.5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 描述:

    TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
23+
SOT-363
360000
交期准时服务周到
询价
ON
23+
SOT363
45000
原装正品现货
询价
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
ON
2020+
NOPB
200
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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onsemi(安森美)
24+
SOT-363-6(SC-70-6)
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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ON/安森美
23+
SOT-363
89630
当天发货全新原装现货
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ON/安森美
2022+
6055
原厂原装,假一罚十
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ON/安森美
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