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NSS12100UW3TCG分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NSS12100UW3TCG |
| 参数属性 | NSS12100UW3TCG 封装/外壳为3-WDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 12V 1A 3WDFN |
| 功能描述 | 12 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
| 封装外壳 | 3-WDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
86.37 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 20:07:00 |
| 人工找货 | NSS12100UW3TCG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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NSS12100UW3TCG属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体公司制造生产的NSS12100UW3TCG晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
NSS12100UW3TCG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
440mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
3-WDFN（2x2）
- 描述：
TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
11+ |
WDFN3 |
200 |
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ON/安森美 |
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NA/ |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
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ON |
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