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NSR1030Q中文资料Schottky Diode Full Bridge 30 V 1 Amp数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NSR1030Q

参数属性

NSR1030Q 封装/外壳为4-UDFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-桥式整流器;产品描述:BRIDGE RECT 1PHASE 30V 1A 4UDFN

功能描述

Schottky Diode Full Bridge 30 V 1 Amp
BRIDGE RECT 1PHASE 30V 1A 4UDFN

封装外壳

4-UDFN 裸露焊盘

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 18:57:00

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NSR1030Q规格书详情

描述 Description

These full bridge Schottky barrier diodes are designed for the
rectification of the high speed signal of wireless charging. The
NSR1030QMUTAG has a very low forward voltage that will reduce
conduction loss. It is housed in a UDFN 3.0 x 3.0 x 0.5 mm package
that is ideal for space constrained wireless applications.

特性 Features

• Extremely Fast Switching Speed
• Low Forward Voltage − 0.49 V (Typ) @ IF = 1 A
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant

应用 Application

• Full Bridge Rectification
• Wireless Charging

简介

NSR1030Q属于分立半导体产品的二极管-桥式整流器。由制造生产的NSR1030Q二极管 - 桥式整流器二极管桥式整流器指的是按桥电路配置排列二极管,以用于将交流电 (AC) 输入转换为直流电 (DC) 输出。这些组件可以采用底座、DIN 导轨、表面或通孔安装,可按照单相或三相二极管类型、正向电压额定值、平均整流电流和技术进行选择。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NSR1030Q

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Schottky Diode Full Bridge 30 V 1 Amp 

  • Configuration

    :Bridge

  • VRRM Min (V)

    :30

  • VF Max (V)

    :Condition: IF =1 A'>0.6

  • IRM Max (µA)

    :Condition: VR = 30 V'>20

  • IO(rec) Max (A)

    :1

  • IFSM Max (A)

    :Condition: 60 Hz

  • trr Max (ns)

    :-

  • Cj Max (pF)

    :-

  • Package Type

    :UDFN-4

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