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NSR05T30P2中文资料肖特基势垒整流器,500 mA,30 V数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NSR05T30P2

参数属性

NSR05T30P2 封装/外壳为SOD-923;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:TRENCH SCHOTTKY

功能描述

肖特基势垒整流器,500 mA,30 V
TRENCH SCHOTTKY

封装外壳

SOD-923

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 21:31:00

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NSR05T30P2规格书详情

描述 Description

These Schottky barrier diodes are optimized for low forward voltage drop and low leakage current that offers the most optimal power dissipation in applications.They are housed in space saving micro-packaging ideal for space constraint applications.

特性 Features

• Low Forward Voltage Drop - 450 mV (Typ.) @ IF = 500 mA
• High Efficiency
• Low Reverse Current - 40 uA (Typ.) @ VR = 30 V
• High Efficiency
• 500 mA of Continuous Forward Current
• High Current Capability
• High ESD Rating: HBM - Class 3B; CDM - Class IV
• ESD Robust
• High Switching Speed
• Less Switching Losses
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
• Environmentally Friendly

应用 Application

• LCD and Keypad Backlighting
• Buck and Boost DC-DC Converters
• Camera Photo Flash
• Reverse Voltage and Current Protection
• Clamping & Protection
• Smartphones
• Tablets
• Wearable Devices

简介

NSR05T30P2属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的NSR05T30P2二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NSR05T30P2

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Single

  • VRRM Min (V)

    :30

  • VF Max (V)

    :0.475

  • IRM Max (µA)

    :100

  • IO(rec) Max (A)

    :0.5

  • IFSM Max (A)

    :-

  • trr Max (ns)

    :9

  • Cj Max (pF)

    :33

  • Package Type

    :SOD-923-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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