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NSR02301MX4数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NSR02301MX4

功能描述

200 mA, 30 V, Trench-based Schottky Diode in X4DFN2 (01005)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 21:04:00

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NSR02301MX4规格书详情

描述 Description

Schottky Diode optimized for low forward voltage drop and low leakage current that offers the most optimal power dissipation in applications. They are housed in space saving micro-packaging ideal for space constrained applications.

特性 Features

• Smallest Package Available (01005); 0.445mm x 0.24mm
• Space savings
• 200 mA Continuous Forward Current
• Low Forward Voltage Drop, VF = 350 mV (Typical) @ IF = 100 mA
• Low Reverse Current, 25 µA (Typical) @ VR = 30 V
• Low trr = 11 ns Typical
• Low Capacitance, 19 pF (Typical)

应用 Application

• Reverse Voltage and Current Protection
• Buck and Boost DC-DC Converters
• Clamping & Protection
• Mobile Devices
• Wearable Devices
• Camera Photo Flash

技术参数

  • 制造商编号

    :NSR02301MX4

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Single

  • VRRM Min (V)

    :30

  • VF Max (V)

    :0.54

  • IRM Max (µA)

    :100

  • IO(rec) Max (A)

    :0.2

  • trr Max (ns)

    :11

  • Package Type

    :X4DFN-2

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