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NSR01F30NXT5G中文资料Schottky Barrier Diode, 100 mA, 30 V数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
NSR01F30NXT5G |
参数属性 | NSR01F30NXT5G 封装/外壳为0201(0603 公制);包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DSN |
功能描述 | Schottky Barrier Diode, 100 mA, 30 V |
封装外壳 | 0201(0603 公制) |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
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NSR01F30NXT5G规格书详情
描述 Description
The Schottky diodes are optimized for low forward voltage drop and low leakage current. The DSN2 Dual Silicon No lead package is a chip level package using solderable metal contacts under the package similar to DFN style packages. The DSN style package enables 100 percent utilization of the package area for active silicon offering a significant performance per board area advantage compared to products in plastic molded packages. The low thermal resistance enables designers to meet the challenging task of achieving higher efficiency and meeting reduced space requirements.
特性 Features
• Low Forward Voltage Drop
• Reduces Power Dissipation
• High Switching Speed
• Better Performance
• Low Reverse Current
应用 Application
• Buck and Boost DC-DC Converters
• Reverse Voltage and Current Protection
• Mobile Handsets
• MP3 Players
• Digital Camera & Camcorders
简介
NSR01F30NXT5G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的NSR01F30NXT5G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
:NSR01F30NXT5G
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:AEC QualifiedPb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: Schottky Barrier Diode
- Configuration
:Single
- VRRM Min (V)
:30
- VF Max (V)
:Condition: IF = 10mA'>0.37
- IRM Max (µA)
:Condition: VR = 10V'>7
- IO(rec) Max (A)
:0.1
- IFSM Max (A)
:4
- trr Max (ns)
:-
- Cj Max (pF)
:Condition: VR = 5V
- Package Type
:DSN-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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