Schottky Barrier Diode

文件：116.93 Kbytes 页数：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Schottky Barrier Diode

文件：105.58 Kbytes 页数：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Schottky Barrier Diode

文件：51.25 Kbytes 页数：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Schottky Barrier Diode

文件：105.58 Kbytes 页数：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Schottky Barrier Diode

文件：51.25 Kbytes 页数：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Schottky Barrier Diode, 100 mA, 30 V

The Schottky diodes are optimized for low forward voltage drop and low leakage current. The DSN2 Dual Silicon No lead package is a chip level package using solderable metal contacts under the package similar to DFN style packages. The DSN style package enables 100 percent utilization of the package • Low Forward Voltage Drop\n• Reduces Power Dissipation\n• High Switching Speed\n• Better Performance\n• Low Reverse Current;

ONSEMI

安森美半导体

Package：0201（0603 公制）；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DSN

ONSEMI

安森美半导体