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NSPU5132M数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

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厂商型号

NSPU5132M

参数属性

NSPU5132M 封装/外壳为6-UFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;NSPU5132M应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 13.5VWM 24VC 6UDFN

功能描述

NSPU5132M: 13.5 V Unidirectional ESD and Surge Protection Device
TVS DIODE 13.5VWM 24VC 6UDFN

封装外壳

6-UFDFN 裸露焊盘

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:22:00

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NSPU5132M规格书详情

描述 Description

NSPU5132M

特性 Features

• Unidirectional High Voltage ESD & Surge Protection Device
• Provides ESD Protection to IEC61000−4−2 Level 4:±30 kV Contact Discharge
• Small Package (1.8 mm x 2.0 mm)
• High Voltage Zener Diode Protects Supply Rail up to 195 A (8/20 µs)
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

简介

NSPU5132M属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的NSPU5132MTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NSPU5132M

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 13.5 V Unidirectional ESD and Surge Protection Device

  • Interface

    :General I/O

  • Number of Lines

    :1

  • Direction

    :Unidirectional

  • C Max (pF)

    :1550

  • V(BR) Min (V)

    :13.6

  • VRWM Max (V)

    :13.5

  • IR Max (µA)

    :1

  • PPK Max (W)

    :4300

  • Package Type

    :UDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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