集成电流路径的芯片级电流传感器

NSM2015 系列是纳芯微推出的集成电流路径的芯片级电流传感器，其主要应用于对100A 以下的电流做隔离测量。 • 10A~100A多档电流量程可选\n• 3.3V/5V 单电源供电\n• 交流/直流输入\n• 0.85mOhm低导通阻抗\n• ±2% 高电流测量精度\n• 1.5us的快速响应时间\n• 320KHz高带宽\n• 可承受高达13kA浪涌雷击电流（8μs/20μs 浪涌电流波形）\n• 伪差分固定输出\n• 参考电压输出\n• 过流检测功能\n• 过流阈值可调\n• SOW 16封装：1550VDC工作绝缘电压 / 5000 Vrms @ 1 min 耐受隔离电压\n• 8mm宽的电气间隙\n• 8mm宽的爬电距离\n• 基于差分霍尔方案，高抗共模磁场干扰能力\n• -40~12;

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纳芯微

集成式电流传感器

NSM2015 系列是纳芯微推出的集成式电流传感器，其主要应用于对100A 以下的电流做隔离测量。 • 10A~100A多档电流量程可选\n• 3.3V/5V 单电源供电\n• 交流/直流输入\n• 0.85mOhm低导通阻抗\n• ±2% 电流测量精度\n• 2us的快速响应时间\n• 240KHz高带宽\n• 可承受高达13kA浪涌雷击电流（8μs/20μs 浪涌电流波形）\n• 伪差分固定输出\n• 参考电压输出\n• SOW 16封装：1550VDC工作绝缘电压 / 5000 Vrms @ 1 min 耐受隔离电压\n• 8mm宽的电气间隙\n• 8mm宽的爬电距离\n• 基于差分霍尔方案，高抗共模磁场干扰能力\n• -40~125℃宽的工作电压范围;

Novosense

纳芯微

车规级集成式电流传感器

NSM2015-Q1系列是纳芯微推出的车规级集成式电流传感器，其主要应用于对100A 以下的电流做隔离测量。 • 10A~100A多档电流量程可选\n• 3.3V/5V 单电源供电\n• 交流/直流输入\n• 0.85mOhm低导通阻抗\n• ±2% 电流测量精度\n• 2us的快速响应时间\n• 240KHz高带宽\n• 可承受高达13kA浪涌雷击电流（8μs/20μs 浪涌电流波形）\n• 伪差分固定输出\n• 参考电压输出\n• SOW 16封装：1550VDC工作绝缘电压 / 5000 Vrms @ 1 min 耐受隔离电压\n• 8mm宽的电气间隙\n• 8mm宽的爬电距离\n• 基于差分霍尔方案，高抗共模磁场干扰能力\n• -40~125℃宽的工作电压范围;

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纳芯微

Integrated Circuit 7-Channel Darlington Array/Driver

Description: The NTE2011 through NTE2015 are high–voltage, high–current Darlington arrays in a 16–Lead DIP type package and are comprised of seven silicon NPN Darlington pairs on a common monolithic sub strate. All units have open–collector outputs and integral diodes for inductive load transie

文件：23.62 Kbytes 页数：3 Pages

NTE

Low cap. diode array for 2 Line High Speed USB protection devic

文件：216.85 Kbytes 页数：2 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Sales Outline Drawing

文件：166.92 Kbytes 页数：1 Pages

MSPI

马洛里