High Reliability Isolated Dual-Channel Gate Driver

Key Features Isolated dual channel driver Input side supply voltage: 2.7V to 5.5V Driver side supply voltage: up to 25V with UVLO 4A peak source and 6A peak sink output High CMTI: ±150kV/μs typical 25ns typical propagation delay 5ns maximum delay matching 6ns maximum pulse width di

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NOVO

纳芯微电子

高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚

NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大4A/6A的拉灌电流能力。NSI6602在5*5mmLGA13封装中按照UL1577提供2500Vrms隔离, 在SOP16封装中提供3000Vrms隔离, 在SOW16和SOW14封装中提供5700Vrms隔离。100kV/us的最小共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大电源电压为28V,而输入侧则接受2.7V至5V的电源电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。 • 隔离式双通道驱动器\n• 驱动器侧电源电压：使用UVLO时高达28V\n• 高CMTI: ±100KV/μs\n• 5ns最大延迟匹配\n• 可编程死区时间\n• 工作温度 -40℃~125℃\n• 封装形式：LGA13, SOW14, SOW16, SOP16;

Novosense

纳芯微电子

9 AMP ADJUSTABLE INTEGRATED SWITCHING REGULATOR

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TI

德州仪器

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

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TOSHIBA

东芝

PIN DIODE

DESCRIPTION These series of PIN diodes are designed for applications requiring small package size and moderate average power handling capability. The low capacitance of the UM6000 and UM6600 allows them to be used as series switching elements to 1 GHz. The low resistance of the UM6200 is useful

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MICROSEMI

美高森美