高可靠性隔离式双通道栅极驱动器 提供DT引脚

NSI6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大4A/6A的拉灌电流能力。NSI6602在5*5mmLGA13封装中按照UL1577提供2500Vrms隔离, 在SOP16封装中提供3000Vrms隔离, 在SOW16和SOW14封装中提供5700Vrms隔离。100kV/us的最小共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大电源电压为28V,而输入侧则接受2.7V至5V的电源电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。 • 隔离式双通道驱动器\n• 输入侧电源电压: 2.7V至5.5V\n• 驱动器侧电源电压：使用UVLO时高达28V\n• 峰值4A/6A拉灌电流能力\n• 高CMTI: ±100KV/μs\n• 19ns典型传播延迟\n• 5ns最大延迟匹配\n• 6ns最大脉冲宽度失真\n• 可编程死区时间\n• 接受最小输入脉冲宽度20ns\n• 工作温度 -40℃~125℃\n• 封装形式：LGA13, SOW14, SOW16, SOP16;

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纳芯微电子

20V Complementary Enhancement Mode MOSFET

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20V Complementary Enhancement Mode MOSFET

Features  Advanced Trench Process Technology  Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc.  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard

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20V Complementary Enhancement Mode MOSFET

Features  Advanced Trench Process Technology  Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc.  AEC-Q101 qualified  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard

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