高可靠性非隔离半桥驱动器

NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有行业内领先的超低传播延迟，低静态电流，耐负压能力强、高dv/dt抗扰度等特性。\n\n 该器件可接受的供电电源输入范围宽达 10V 至 20V，并且为 VDD 和 BST 供电电源引脚提供了 UVLO 保护。 NSD1624可提供大小封装，LGA10、 SOP8、SOP14 封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 125°C。NSD1624具有所有这些出色的功能,适用于高可靠性,功率密度和效率的开关电源系统。 • 可支持最大的系统电压为：1200V\n• 峰值4A/6A拉灌电流能力\n• 35ns最大传播延迟\n• 输入端引脚TTL 和 CMOS 兼容\n• 轨到轨输出\n• 高压和低压引脚分离，实现最大爬电距离和电气间隙(SOP14)\n• 工作温度范围为：-40°C 至 125°C;

Novosense

纳芯微电子

Hook and Loop – Ties

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Heyco

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description The ACE16242A is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high-density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage

文件：241.18 Kbytes 页数：3 Pages

ACE

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description The ACE16242A is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high-density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage

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ACE