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NSBC123JPDP6T5G

Complementary Bias Resistor Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    NSBC123JPDP6T5G

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 BRT COMPLEMENTARY

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NSBC123JPDP6T5G供应商 更新时间2025-7-14 13:54:00