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NSBC123JPDP6T5G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NSBC123JPDP6T5G

功能描述

Complementary Bias Resistor Transistors

文件大小

172.91 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-21 14:31:00

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产品属性

  • 型号:

    NSBC123JPDP6T5G

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 BRT COMPLEMENTARY

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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