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NSBC114EDXV6T5G

Dual NPN Bias Resistor Transistors

文件:159.28 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSBC114EDXV6T1

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    Dual NPN

  • IC Continuous (A):

    0.1

  • V(BR)CEO Min (V):

    50

  • hFE Min:

    35

  • R1 (kΩ):

    10

  • R2 (kΩ):

    10

  • R1/R2 Typ:

    1

  • Vi(off) Max (V):

    0.8

  • Vi(on) Min (V):

    2.5

  • Package Type:

    SOT-563

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