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NSBC113EDXV6T1_ONSEMI/安森美半导体_TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563欧立现代
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
NSBC113EDXV6T1
- 功能描述:
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列:
-
- 标准包装:
3,000
- 晶体管类型:
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 -
- 集电极(Ic)(最大):
70mA,100mA 电压 -
- 集电极发射极击穿(最大):
50V 电阻器 -
- 基极(R1)(欧):
47k,2.2k 电阻器 -
- 发射极(R2)(欧):
47k 在某 Ic、Vce
- 时的最小直流电流增益(hFE):
70 @ 5mA,5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):
300mV @ 500µA,10mA 电流 -
- 集电极截止(最大):
- 频率 -
- 转换:
100MHz,200MHz 功率 -
- 最大:
250mW
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:
PG-SOT363-6
- 包装:
带卷(TR)
- 其它名称:
SP000784046
供应商
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