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NSBA123EDXV6T1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NSBA123EDXV6T1G
厂商型号

NSBA123EDXV6T1G

功能描述

Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k

文件大小

110.63 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 23:06:00

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产品属性

  • 型号:

    NSBA123EDXV6T1G

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
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