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NSBA114YDP6T5G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NSBA114YDP6T5G
厂商型号

NSBA114YDP6T5G

功能描述

Dual Digital Transistors (BRT)

文件大小

102.55 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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NSBA114YDP6T5G规格书详情

Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ

PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

特性 Features

• Simplifies Circuit Design

• Reduces Board Space

• Reduces Component Count

• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications

Requiring Unique Site and Control Change Requirements;

AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable*

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

产品属性

  • 型号:

    NSBA114YDP6T5G

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 SOT-963 DUAL PBRT

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-963
6547
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ON
24+/25+
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ON/安森美
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