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NSBA113EDXV6	文件：75.03 Kbytes Page：6 Pages	Dual PNP Bias Resistor Transistors DualPNPBiasResistorTransistorsR1=1kΩ,R2=1kΩ PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwitham	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBA113EDXV6T1G	文件：75.03 Kbytes Page：6 Pages	Dual PNP Bias Resistor Transistors DualPNPBiasResistorTransistorsR1=1kΩ,R2=1kΩ PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwitham	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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Dual PNP Bias Resistor Transistors

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详细参数

型号：
NSBA113EDXV6
功能描述：
TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列：
-
标准包装：
3,000
晶体管类型：
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 -
集电极(Ic)（最大）：
70mA，100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
50V 电阻器 -
基极(R1)（欧）：
47k，2.2k 电阻器 -
发射极(R2)（欧）：
47k 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
300mV @ 500µA，10mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 频率 -
转换：
100MHz，200MHz 功率 -
最大：
250mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：
PG-SOT363-6
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000784046

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更多NSBA113EDXV6供应商更新时间2025-5-17 17:00:00

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