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PST3160	文件：177.66 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
PST3160	文件：89.77 Kbytes Page：9 Pages	ICforCMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
QFA3160	文件：285.16 Kbytes Page：8 Pages	Roomsensorsforrelativehumidity(highaccuracy)andtemperature	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
QFA3160D	文件：285.16 Kbytes Page：8 Pages	Roomsensorsforrelativehumidity(highaccuracy)andtemperature	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
QFM3160	文件：236.25 Kbytes Page：8 Pages	Ductsensorsforrelativehumidity(highaccuracy)andtemperature OperatingvoltageAC24V/DC13.5...35V SignaloutputDC0...5V/DC0...10V/4…20mAforrelativehumidityand temperature Veryhighmeasuringaccuracyacrosstheentiremeasuringrange Functiontest Capacitivehumiditymeasurement Rangeofuse40…70°C/0…100%r.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
QFM3160D	文件：236.25 Kbytes Page：8 Pages	Ductsensorsforrelativehumidity(highaccuracy)andtemperature OperatingvoltageAC24V/DC13.5...35V SignaloutputDC0...5V/DC0...10V/4…20mAforrelativehumidityand temperature Veryhighmeasuringaccuracyacrosstheentiremeasuringrange Functiontest Capacitivehumiditymeasurement Rangeofuse40…70°C/0…100%r.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
RF3160	文件：101.47 Kbytes Page：8 Pages	DUAL-BANDGSM/DCSPOWERAMPMODULE ProductDescription TheRF3160isahigh-power,high-efficiencypoweramplifiermodule.Thedeviceisself-containedwith50Ωinputandoutputterminals.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasth	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF3160PCBA	文件：101.47 Kbytes Page：8 Pages	DUAL-BANDGSM/DCSPOWERAMPMODULE ProductDescription TheRF3160isahigh-power,high-efficiencypoweramplifiermodule.Thedeviceisself-containedwith50Ωinputandoutputterminals.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasth	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SCT3160KL	文件：738.67 Kbytes Page：14 Pages	N-channelSiCpowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SCT3160KLHR	文件：1.0066 Mbytes Page：14 Pages	AutomotiveGradeN-channelSiCpowerMOSFET Features 5)Easytoparallel 6)Simpletodrive 7)Pb-freeleadplating;RoHScompliant 1)QualifiedtoAEC-Q101 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Fastreverserecovery Application ・Automobile ・Switchmodepowersupplies	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
NS3160
制造商：
Enhance Technology
功能描述：
ULTRASHARE NS
SYSTEM：
3U RM 16 BAY QUAD CORE 4G MEMORY 64-BI - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	NS32008D10	NATIONALSEM	24+	原装进口原厂原包接受订货	2866	原装现货假一罚十	询价
深圳市近平电子有限公司	NS32008D10	NATIONALSEM	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	NS32008D-10E	NS	25+23+	DIP	71397	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	NS32008D-10E	NS	21+	DIP	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NS32008D-10E	NS/国半	23+	DIP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NS32008D-10E	NS	23+	DIP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	NS32008D-10E	NS	92+	DIP	48	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市华来深电子有限公司	NS32008D-10E	NS	23+	DIP	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NS32008D-10E	NS/国半	24+	NA/	48	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	NS32008D-10E	NS	2023+	DIP	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价

更多NS3160供应商更新时间2025-5-29 13:30:00

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