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NRVTSM245E	文件：68.5 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier 文件：68.5 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVTSM245ESF	文件：112.52 Kbytes Page：5 Pages	Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier 文件：112.52 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVTSM245ESFT3G	文件：112.52 Kbytes Page：5 Pages	Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier 文件：112.52 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVTSM245ET1G	文件：68.5 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier 文件：68.5 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVTSM245ET3G	文件：68.5 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier 文件：68.5 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVTSM245E	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽肖特基整流器，极低漏，45V，2A，Powermite 封装 The NRVTSM245E is Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier.This new technology allows low forward voltage drop without the high reverse leakage trade-off experienced with planar Schottky rectifiers.This platform also provides very stable switching characteristics over a wide temperature range and • Low Profile − Maximum Height of 1.1 mm\n• Small Footprint − Footprint Area of 8.45 mm2\n• Supplied in 12 mm Tape and Reel\n• Low Thermal Resistance\n• Exposed Cathode Heat Sink\n• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low\n• Forward Voltage and Low Leakage\n• Fast Switching wi;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVTSM245ET1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-216AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 45V 2A POWERMITE	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVTSM245ET3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-216AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOT 45V 2.2A POWERMITE	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
45
VF Max (V)：
0.65
IRM Max (µA)：
75
IO(rec) Max (A)：
2
IFSM Max (A)：
50
Package Type：
POWERMITE-2

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更多NRVTSM245E供应商更新时间2025-10-13 15:08:00

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