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NRVBS360BT3G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

NRVBS360BT3G
厂商型号

NRVBS360BT3G

参数属性

NRVBS360BT3G 封装/外壳为DO-214AA,SMB;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB

功能描述

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES, 60 VOLTS
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB

封装外壳

DO-214AA,SMB

文件大小

141.61 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 10:56:00

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NRVBS360BT3G规格书详情

NRVBS360BT3G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体公司制造生产的NRVBS360BT3G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES, 60 VOLTS

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay

contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes, in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.

特性 Features

•Small Compact Surface Mountable Package with J−Bend Leads

•Rectangular Package for Automated Handling

•Highly Stable Oxide Passivated Junction

•Excellent Ability to Withstand Reverse Avalanche Energy Transients

•Guard−Ring for Stress Protection

•NRVBS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

•These are Pb−Free Devices

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NRVBS360BT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-214AA,SMB

  • 供应商器件封装:

    SMB

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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