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NP90N04VUK-E1-AY	文件：111.62 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:Ciss=3900pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicationa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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Description TheNP90N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:Ciss=3900pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicationa

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