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NP90N03VLG	文件：237.33 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP90N03VLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 3.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) ⎯ RDS(on)2 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) • Low input capacitance ⎯ Ciss 文件：237.33 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP90N03VLG	文件：299.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP90N03VLG	文件：1.00244 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.00244 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NP90N03VLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP90N03VLG-E1-AY	文件：1.00252 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.00252 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NP90N03VLG-E1-AY	文件：237.33 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP90N03VLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 3.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) ⎯ RDS(on)2 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) • Low input capacitance ⎯ Ciss 文件：237.33 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP90N03VLG-E2-AY	文件：1.00251 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.00251 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NP90N03VLG-E2-AY	文件：237.33 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP90N03VLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 3.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) ⎯ RDS(on)2 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) • Low input capacitance ⎯ Ciss 文件：237.33 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP90N03VLG_15	文件：237.33 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：237.33 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP90N03VLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
MP-3ZP/TO-252
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
30
ID (A)：
90
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
8
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
3.2
Ciss (pF) 典型值：
5000
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
105
应用：
Automotive Use
安装类型：
Surface Mount
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
90

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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