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NP89N04PUK-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP89N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.95mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=3900pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP89N04PUK-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP89N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.95mMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:Ciss=3900pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication

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更多NP89N04PUK-E1-AYMOS(场效应管)供应商 更新时间2024-6-19 11:00:00