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NP88N04NUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04NUG_15	文件：261.899 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04CHE	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04CHE	文件：333.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP88N04CHE	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04DHE	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04DHE	文件：242.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP88N04DHE	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04EHE	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04EHE	文件：306.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
NP88N04NUG
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP88N04NUG	NEC	24+	TO-262	8866		询价
深圳市鹏和科技有限公司	NP88N04NUG	NEC	24+	TO-262	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市近平电子有限公司	NP88N04NUG	NEC	6000	面议	19	TO-262	询价
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