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NP82N04MUG-S18-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:322.83 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N04MUG-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP82N04MUG and NP82N04NUG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Non logic level • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • High current rating ID(DC) = ±82 A • Low i

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RENESAS

瑞萨

NP9926ASR

SOP-8

南麟

NPA-100B-015A

14-SOIC 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

NPA-500B-005G

14-SMD 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

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更多NP82N04MUG-S18-AYNOTE供应商 更新时间2025-12-12 11:01:00