NP82N04MDG-S18-AYMOS(场效应管)资料使用说明书-114ic电子网

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NP82N04MDG-S18-AY	文件：326.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N04MDGandNP82N04NDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP82N04MDG-S18-AY

文件：326.96 Kbytes

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP82N04MDGandNP82N04NDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A)

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深圳市智创诚芯电子科技有限公司	NP82N04MDG-S18-AYMOS(场效应管)	NEC	TO-220	货真价实,假一罚十	25000		询价
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更多NP82N04MDG-S18-AYMOS(场效应管)供应商更新时间2024-6-23 10:02:00

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