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NP82N03KDF	文件：310.3 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP82N03KDFisN-channelMOSFieldEffectTransistors designedforhighcurrentswitchingapplication. FEATURES •Channeltemperature175°Crating •Superlowon-stateresistanceand4.5Vgatedrivetype RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=10V,	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP82N03KDFisN-channelMOSFieldEffectTransistors designedforhighcurrentswitchingapplication. FEATURES •Channeltemperature175°Crating •Superlowon-stateresistanceand4.5Vgatedrivetype RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=10V,

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深圳兆威电子有限公司	NP82N03PUGMOS(场效应管)	NEC	23+	TO-263	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NP82N03PUGMOS(场效应管)	NEC	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳廊盛科技有限公司	NP82N03PUGMOS(场效应管)	NEC	2022	TO-263	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
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深圳市晨豪科技有限公司	NP82N04MDG	RENESAS/瑞萨	23+	TO-220	89630	当天发货全新原装现货	询价
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更多NP82N03PUGMOS(场效应管)供应商更新时间2024-6-23 17:18:00

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