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NP40N055NHE-S18-AY	文件：298.7 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 23 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) • Low input capacitance Ciss = 1070 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：298.7 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP40N055NHE-S18-AY	文件：212.75 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 23 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) • Low input capacitance Ciss = 1070 pF T 文件：212.75 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP40N055NHE-S18-AYNote1	文件：299.28 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：299.28 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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NP40N10PDF-E1-AY	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	RENESAS 瑞萨上传：深圳市宝隆芯业科技有限公司	RENESAS 瑞萨

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