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NP36P04KDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36P04KDG	文件：189.66 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP36P04KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=23.5mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP36P04KDG	文件：345.83 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
nP3750PBC-400	文件：0 bytes Page：0 Pages	AMCC BGA	AMCCApplied Micro Circuits Corporation 应用微电路公司美国应用微电路公司相关企业：深圳市昂芯微科技有限公司	AMCC
nP3750PBC-700	文件：0 bytes Page：0 Pages	AMCC BGA	AMCCApplied Micro Circuits Corporation 应用微电路公司美国应用微电路公司相关企业：深圳市昂芯微科技有限公司	AMCC

更多NP36P04SDG其他被动元件供应商更新时间2025-7-30 11:03:00